Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/16135
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
dc.contributor.author | Martín García, Isidro |
dc.contributor.author | Ortega Villasclaras, Pablo Rafael |
dc.contributor.author | Colina, Monica |
dc.contributor.author | Orpella García, Alberto |
dc.contributor.author | López, Gema |
dc.contributor.author | Alcubilla González, Ramón |
dc.date | 2012-04-26 |
dc.identifier.citation | Martin, I. [et al.]. Laser processing of Al2O3/a-SiCx:H stacks: a feasible solution for the rear surface of high-efficiency p-type c-Si solar cells. "Progress in photovoltaics", 26 Abril 2012, vol. 20, núm. 4, p. 1-5. |
dc.identifier.citation | 1062-7995 |
dc.identifier.citation | 10.1002/pip.2207 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/16135 |
dc.language.iso | eng |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar fotovoltaica::Cèl·lules solars |
dc.subject | Solar cells. |
dc.subject | Cèl·lules solars |
dc.title | Laser processing of Al2O3/a-SiCx:H stacks: a feasible solution for the rear surface of high-efficiency p-type c-Si solar cells |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |