visitant ::
identificació
|
|||||||||||||||
Cerca | Lliura | Ajuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español |
Pàgina inicial > Documents de recerca > Treballs de recerca i projectes de final de carrera > Desarrollo de un simulador para el estudio de la ruptura dieléctrica en circuitos CMOS |
Data: | 2011 |
Descripció: | 89 p. |
Drets: | L'accés als continguts d'aquest document queda condicionat a l'acceptació de les condicions d'ús establertes per la següent llicència Creative Commons: |
Llengua: | Castellà |
Col·lecció: | Escola d'Enginyeria. Projectes i treballs de final de carrera. Enginyeria Electrònica |
Document: | Treball final de grau |
Matèria: | Metall òxid semiconductors complementaris ; Fiabilitat |
Projecte 89 p, 1.1 MB |