Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/12696

Gate leakage impact on full open defects in interconnect lines
Arumi Delgado, Daniel; Rodríguez Montañés, Rosa; Figueras Pàmies, Joan; Eichenberger, Stefan; Hora, Camelia; Kruseman, Bram
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
Metal oxide semiconductors, Complementary
Metall-òxid-semiconductors complementaris
info:eu-repo/semantics/submittedVersion
Artículo
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Rodríguez Montañés, Rosa; Arumi Delgado, Daniel; Figueras Pàmies, Joan; Eichenberger, Stefan; Hora, Camelia; Kruseman, Bram; Lousberg, M.; Majhi, A.K.
Arumi Delgado, Daniel; Rodríguez Montañés, Rosa; Figueras Pàmies, Joan; Eichenberger, Stefan; Hora, C.; Kruseman, Bram
Rodríguez Montañés, Rosa; Arumi Delgado, Daniel; Figueras Pàmies, Joan; Eichenberger, S.; Hora, Camelia; Kruseman, B.
Rodríguez Montañés, Rosa; Arumi Delgado, Daniel; Figueras Pàmies, Joan; Beverloo, Willem; Vries, Dirk K. de; Eichenberger, Stefan; Volf, Paul A. J.
Arumi Delgado, Daniel; Rodríguez Montañés, Rosa; Figueras Pàmies, Joan