To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/9902

Study of emitter width effects on BF, fT and fmax of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation
Schröter, Michael; López González, Juan Miguel
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
Electronica
Hydrodynamic receptors
Heterojunctions
Bipolar transistors
Electrònica
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Article
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

López González, Juan Miguel; Martín García, Isidro; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; Orpella García, Alberto; Alcubilla González, Ramón
Ribera, Mireia; Pascual Almenara, Afra; Salse, Marina; Masip Ardévol, Llúcia; Granollers i Saltiveri, Toni; López González, Juan Miguel; Oliva Solé, Marta; Gil Iranzo, Rosa María; García González, Roberto; Gimeno Illa, Juan Manuel; Chiné Cónsul, Jonathan; Comas i Aleix, Anna Cristina
Ribera, Mireia; Pascual Almenara, Afra; Salse, Marina; Masip Ardévol, Llúcia; Granollers i Saltiveri, Toni; López González, Juan Miguel; Oliva Solé, Marta; Gil Iranzo, Rosa María; García González, Roberto; Gimeno Illa, Juan Manuel; Chiné Cónsul, Jonathan; Comas i Aleix, Anna Cristina
Ribera, Mireia; Pascual Almenara, Afra; Salse, Marina; Masip Ardévol, Llúcia; Granollers i Saltiveri, Toni; López González, Juan Miguel; Oliva Solé, Marta; Gil Iranzo, Rosa María; García González, Roberto; Gimeno Illa, Juan Manuel; Chiné Cónsul, Jonathan; Comas i Aleix, Anna Cristina
 

Coordination

 

Supporters