Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/9021

Analytical modelling of 200 GHz SiGe HBT high-frequency noise parameters
López González, Juan Miguel
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació
Signal theory (Telecommunication)
Low noise amplifiers
Senyal, Teoria del (Telecomunicació)
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
Article
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

López González, Juan Miguel; Martín García, Isidro; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; Orpella García, Alberto; Alcubilla González, Ramón
Ribera, Mireia; Pascual Almenara, Afra; Salse, Marina; Masip Ardévol, Llúcia; Granollers i Saltiveri, Toni; López González, Juan Miguel; Oliva Solé, Marta; Gil Iranzo, Rosa María; García González, Roberto; Gimeno Illa, Juan Manuel; Chiné Cónsul, Jonathan; Comas i Aleix, Anna Cristina
Ribera, Mireia; Pascual Almenara, Afra; Salse, Marina; Masip Ardévol, Llúcia; Granollers i Saltiveri, Toni; López González, Juan Miguel; Oliva Solé, Marta; Gil Iranzo, Rosa María; García González, Roberto; Gimeno Illa, Juan Manuel; Chiné Cónsul, Jonathan; Comas i Aleix, Anna Cristina
Ribera, Mireia; Pascual Almenara, Afra; Salse, Marina; Masip Ardévol, Llúcia; Granollers i Saltiveri, Toni; López González, Juan Miguel; Oliva Solé, Marta; Gil Iranzo, Rosa María; García González, Roberto; Gimeno Illa, Juan Manuel; Chiné Cónsul, Jonathan; Comas i Aleix, Anna Cristina