To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/9865
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group |
dc.contributor.author | Fernández García, Raúl |
dc.contributor.author | Gil Galí, Ignacio |
dc.date | 2010 |
dc.identifier.citation | Fernandez, R.; Gil, I. An alternative characterization method of PFET sub-threshold slope under NBTI stress. A: European Solid State Device Research Conference. "ESSDERC". Sevilla: 2010. |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/9865 |
dc.language.iso | eng |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Electrònica de potència |
dc.subject | Electromagnetic interference |
dc.subject | Switching power supplies |
dc.subject | Interferència electromàgnetica |
dc.subject | Fonts d'alimentació |
dc.title | An alternative characterization method of PFET sub-threshold slope under NBTI stress |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject |
dc.description.abstract |