An alternative characterization method of PFET sub-threshold slope under NBTI stress

Consultar RECERCAT

Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/9865

Título:	An alternative characterization method of PFET sub-threshold slope under NBTI stress
Autor/a:	Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio
Otros autores:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group
Abstract:	The effects of negative bias temperature instability (NBTI) on the sub-threshold performance of a pFET have been investigated by means of experimental methods. Specifically, the sub-threshold slope under static and dynamic NBTI stress has been characterized for different NBTI stress conditions. In order to perform the characterization, a proposal based on an alternative measurement technique to obtain the sub-threshold slope is presented. Our first results indicate that similar sub-threshold slope is obtained in all stress conditions.
Materia(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Electrònica de potència -Electromagnetic interference -Switching power supplies -Interferència electromàgnetica -Fonts d'alimentació
Derechos:
Tipo de documento:	Artículo - Versión publicada Objeto de conferencia
Compartir:

Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl; Pous Solà, Marc; Silva Martínez, Fernando

Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl; Tornero García, José Antonio

Berbel Artal, Néstor; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio

Moradi, Bahareh; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio

Moradi, Bahareh; Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio

Coordinación

Patrocinio