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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
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dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Terrassa Industrial Electronics Group |
dc.contributor.author | Kaczer, Ben |
dc.contributor.author | Grasser, Tibor |
dc.contributor.author | Fernández García, Raúl |
dc.contributor.author | Groeseneken, Guido |
dc.date | 2007 |
dc.identifier.citation | 978-1-56677-552-6 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/7614 |
dc.language.iso | eng |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica |
dc.subject | Metal oxide semiconductor field-effect transistors |
dc.subject | Field-effect transistors |
dc.subject | Transistors d'efecte de camp |
dc.title | Toward understanding the wide distribution of time scales in negative bias temperature instability |
dc.type | info:eu-repo/semantics/draft |
dc.type | info:eu-repo/semantics/bookPart |