Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/7614

Toward understanding the wide distribution of time scales in negative bias temperature instability
Kaczer, Ben; Grasser, Tibor; Fernández García, Raúl; Groeseneken, Guido
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Grup d'Electrònica Industrial Terrassa
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Field-effect transistors
Transistors d'efecte de camp
Article - Esborrany
info:eu-repo/semantics/bookPart
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Fernández García, Raúl; Kaczer, Ben; Gago Barrio, Javier; Rodríguez, Rosana; Nafría Maqueda, Montserrat
Boyer, Alexandre; Dhia, Sonia Ben; Fernández García, Raúl; Berbel Artal, Néstor
Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl; Sieiro, Javier; López-Villegas, José María