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Study of emitter width effects on beta(F), f(T) and f(max) of 200 GHz SiGe HBTs by DD, HD and EB device simulation
López González, Juan Miguel; Schröter, Michael
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
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Semiconductors
Electrònica
Semiconductors
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