Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/7391

Impact of NBTI on EMC behaviours of CMOS inverter
Fernández García, Raúl; Berbel Artal, Néstor; Gil Galí, Ignacio; Morata Cariñena, Marta
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. TIEG - Grup d'Electrònica Industrial Terrassa; Universitat Politècnica de Catalunya. SEPIC - Sistemes Electrònics de Potència i de Control
In this paper the Electromagnetic Robustness (EMR) of a CMOS inverter has been analyzed when the pFETs are submitted to negative bias temperature instability (NBTI). The impact of pFET and CMOS inverter has been experimentally quantified and the switching noise and electromagnetic susceptibility has been analyzed by means of simulation. The results show that NBTI reduces the switching noise whereas the EMI susceptibility is not modified.
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica
Metal oxide semiconductors, Complementary
Electromagnetic interference
Interferència electromàgnetica
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Fernández García, Raúl; Gil Galí, Ignacio; Ruiz, José María; Morata Cariñena, Marta
Morata Cariñena, Marta; Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl
Fernández García, Raúl; Ruiz, José María; Gil Galí, Ignacio; Morata Cariñena, Marta
Gil Galí, Ignacio; Morata Cariñena, Marta; Fernández García, Raúl; Rottenberg, Xavier; De Raedt, Walter
Morata Cariñena, Marta; Gil Galí, Ignacio; Fernández García, Raúl