Inici | Què és? | Contacte
English | Castellano

Consultar RECERCAT

Per comunitats i
col·leccions Per data Per autors Per títols Per matèries

Consultar col·lecció

Per data Per autors Per títols Per matèries 

Estadístiques

Del document Tot RECERCAT

El meu RECERCAT

Entrar Alertes per correu-e
Directori d’altres repositoris 
Pàgina inicial del RECERCAT > Universitat Politècnica de Catalunya > Documents de recerca > Visualitza document

Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/6718

dc.contributor Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica
dc.contributor Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
dc.contributor.author Orpella García, Alberto
dc.contributor.author Blanqué, Servane
dc.contributor.author Roiati, V.
dc.contributor.author Martín García, Isidro
dc.contributor.author Voz Sánchez, Cristóbal
dc.contributor.author Puigdollers i González, Joaquim
dc.contributor.author Alcubilla González, Ramón
dc.date 2009-02-11
dc.identifier.citation Orpella, A. [et al.]. N-type emitters passivation through antireflective phosphorus doped a-SiCxNy:H(n) stacks. A: Spanish Conference on Electronics Devices. "7th Spanish Conference on Electronic Devices". Santiago de Compostela: IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, p. 357-359.
dc.identifier.citation 978-1-4244-2839-7
dc.identifier.citation 10.1109/SCED.2009.4800506
dc.identifier.citation IEEE
dc.identifier.uri http://hdl.handle.net/2117/6718
dc.language.iso eng
dc.publisher IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers
dc.rights info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors
dc.subject Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar tèrmica::Plaques solars
dc.subject Solar cells
dc.subject Silicon polymers
dc.subject Energia solar
dc.subject Silici
dc.title N-type emitters passivation through antireflective phosphorus doped a-SiCxNy:H(n) stacks
dc.type info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type info:eu-repo/semantics/conferenceObject
dc.description.abstract

Mostra el registre simple del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Optimization of laser processes in n+Emitter formation for c-Si solar cells
Orpella García, Alberto; Martín García, Isidro; Blanqué, Servane; Voz Sánchez, Cristóbal; Sánchez, I.; Colina, M.; Molpeceres, C.; Alcubilla González, Ramón
Advances in a baseline process towards high efficiency c-Si solar cell fabrication
Alcubilla González, Ramón; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; López, G.; Martín García, Isidro; Bermejo Broto, Sandra; Blanqué, Servane; García Molina, Francisco Miguel; Orpella García, Alberto; Voz Sánchez, Cristóbal
Crystalline Silicon surface passivation with amorphous SiCx:H films deposited by Plasma- Enhanced Chemical Vapor Deposition
Martín García, Isidro; Vetter, Michael; Garin Escriva, Moises; Orpella García, Alberto; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Alcubilla González, Ramón
Electronic properties of intrinsic and doped amorphous silicon carbide films
Vetter, Michael; Voz Sánchez, Cristóbal; Ferré Tomas, Rafel; Martín García, Isidro; Orpella García, Alberto; Puigdollers i González, Joaquim; Andreu Batallé, Jordi; Alcubilla González, Ramón
Progress in a-Si:H/c-Si heterojunction emitters obtained by Hot-Wire CVD at 200 °C
Muñoz Cervantes, Delfina; Voz Sánchez, Cristóbal; Martín García, Isidro; Orpella García, Alberto; Puigdollers i González, Joaquim; Alcubilla González, Ramón; Villar, F; Bertomeu Balaguero, Joan; Andreu Batallé, Jordi; Damon-Lacoste, J; Cabarrocas, Roca I P
Accessibilitat | Avís legal | Política de Cookies | Documents d'ús intern
 

Coordinació

 

Patrocini