Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/1248

Model predicts large-signal modfet performance
O'Callaghan Castellà, Juan Manuel; Beyer, J. B.
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques
Modulation-doped field-effect transistors
equivalent circuits
high electron mobility transistors
semiconductor device models
solid-state microwave devices
HEMT
MODFET performance
microwave applications
large-signal models
small-signal measurements
nonlinear equivalent circuit
Microwave devices
Article
PENTON MEDIA, INC
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Nguyen, T. D.; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel; Davidson, B. A.; Redwing, R. D.; Hohenwarter, G. K. G.; Nordman, J. E.; Beyer, J. B.
Davidson, B. A.; Redwing, R. D.; Nguyen, T. D.; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel; Raissi, F.; Lee, J. V.; Bruke, J. P.; Hohenwarter, G. K. G.; Nordman, J. E.; Beyer, J. B.
O'Callaghan Castellà, Juan Manuel; Martens, J. S.; Thompson, J. H.; Beyer, J. B.; Nordman, J. E.
Padilla Díaz, Alberto; Mateu Mateu, Jordi; Collado Gómez, Juan Carlos; Rocas Cantenys, Eduard; Ernst, Cristoph; Rius Casals, Juan Manuel; Tamayo Palau, José María; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Collado Gómez, Juan Carlos; Hueltes Escobar, Alberto; Rocas Cantenys, Eduard; Mateu Mateu, Jordi; Booth, James C.; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel; Verdú Tirado, Jorge Andrés