Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/718

Extraction of noise parameters of transistor using a spectrum analyser and 50^ noise figure measurements only.
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
A method for measuring the four noise parameters of a transistor in the microwave range using a configuration based on a conventional spectrum analyser is presented. In contrast to previous methods, it requires wideband 50 Θ noise-figure measurements only. The method features an accuracy similar to that of noise figure meters at a much higher measurement speed and lower cost.
Peer Reviewed
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques
Microwave transistors
electric noise measurement
microwave measurement
microwave transistors
spectral analysers
semiconductor device measurement
Microones -- Transistors
Artículo
IEE
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Girbau Sala, David; Lázaro Guillén, Antoni; Pérez, A.; Martínez, Ester; Pradell i Cara, Lluís; Villarino Villarino, Ramón
Llamas Morote, Marco Antonio; Girbau Sala, David; Pradell i Cara, Lluís; Lázaro Guillén, Antoni; Giacomozzi, Flavio; Colpo, S
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; Beltrán, A; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel