To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/1106

Bias-dependence of FET intrinsic noise sources, determined with a quasi-2D model
Lázaro Guillén, Antoni; Maya Sánchez, Mª del Carmen; Pradell i Cara, Lluís
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
The bias-dependence of microwave-FET intrinsic noise sources in their hybrid configuration is theoretically determined, using a new quasi-2D (Q-2D) physical model based on Thornber's current equation [8]. It is shown that the correlation coefficient cannot be neglected, in agreement with empirical work in the literature. Experimental verification using noise-parameter measurements up to 26 GHz is presented.
Peer Reviewed
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques
Microwave optics
Noise Measurement
Field-effect transistors
equivalent circuits
microwave field effect transistors
high electron mobility transistors
Schottky gate field effect transistors
semiconductor device models
semiconductor device noise
bias-dependence
microwave-FET intrinsic noise sources
hybrid configuration
quasi-2D physical model
Thornber current equation
noise-parameter measurements
FET noise models
Soroll -- Mesurament
Òptica física
Microones
Transistors d'efecte de camp
Article
JOHN WILEY & SONS INC
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Maya Sánchez, Mª del Carmen; Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís
Maya Sánchez, Mª del Carmen; Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís
Maya Sánchez, Mª del Carmen; Pradell i Cara, Lluís; Lázaro Guillén, Antoni
Lázaro Guillén, Antoni; Maya Sánchez, Mª del Carmen; Pradell i Cara, Lluís
 

Coordination

 

Supporters