To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/1106

Bias-dependence of FET intrinsic noise sources, determined with a quasi-2D model
Lázaro Guillén, Antoni; Maya Sánchez, Mª del Carmen; Pradell i Cara, Lluís
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques
Microwave optics
Noise Measurement
Field-effect transistors
equivalent circuits
microwave field effect transistors
high electron mobility transistors
Schottky gate field effect transistors
semiconductor device models
semiconductor device noise
bias-dependence
microwave-FET intrinsic noise sources
hybrid configuration
quasi-2D physical model
Thornber current equation
noise-parameter measurements
FET noise models
Soroll -- Mesurament
Òptica física
Microones
Transistors d'efecte de camp
Article
JOHN WILEY & SONS INC
         

Show full item record

Related documents

Other documents of the same author

Maya Sánchez, Mª del Carmen; Pradell i Cara, Lluís; Lázaro Guillén, Antoni
Maya Sánchez, Mª del Carmen; Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís
Maya Sánchez, Mª del Carmen; Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís
 

Coordination

 

Supporters