Títol:
|
Bias-dependence of FET intrinsic noise sources, determined with a quasi-2D model
|
Autor/a:
|
Lázaro Guillén, Antoni; Maya Sánchez, Mª del Carmen; Pradell i Cara, Lluís
|
Altres autors:
|
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones |
Abstract:
|
The bias-dependence of microwave-FET intrinsic noise sources in their hybrid configuration is theoretically determined, using a new quasi-2D (Q-2D) physical model based on Thornber's current equation [8]. It is shown that the correlation coefficient cannot be neglected, in agreement with empirical work in the literature. Experimental verification using noise-parameter measurements up to 26 GHz is presented. |
Abstract:
|
Peer Reviewed |
Matèries:
|
-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques -Microwave optics -Noise Measurement -Field-effect transistors -equivalent circuits -microwave field effect transistors -high electron mobility transistors -Schottky gate field effect transistors -semiconductor device models -semiconductor device noise -bias-dependence -microwave-FET intrinsic noise sources -hybrid configuration -quasi-2D physical model -Thornber current equation -noise-parameter measurements -FET noise models -Soroll -- Mesurament -Òptica física -Microones -Transistors d'efecte de camp |
Drets:
|
|
Tipus de document:
|
Article |
Publicat per:
|
JOHN WILEY & SONS INC
|
Compartir:
|
|