Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/1105

Noise model of a reverse-biased Cold-FET applied to the characterization of its ENR
Maya Sánchez, Mª del Carmen; Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
This paper presents a broadband-noise circuit model for a cold-FET (Vds = 0 V) with a reverse-biased gate. The noise model includes two intrinsic uncorrelated noise-current sources whose spectral densities are determined from measurement of the device's S parameters and noise powers. The model is used to characterize the device's excess noise ratio (ENR) for application to full receiver-noise calibration. Experimental results up to 40 GHz are given.
Peer Reviewed
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques
Noise Measurement
Microwaves
on-wafer noise source
excess noise ratio
small signal equivalent circuit model
noise model
calibration
electric noise measurement
equivalent circuits
microwave field effect transistors
S-parameters
broadband-noise circuit model
reverse-biased cold-FET
noise-current sources
excess noise ratio
full receiver-noise calibration
noise powers
40 GHz
Soroll -- Mesurament
Microones
Artículo
JOHN WILEY & SONS INC
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Maya Sánchez, Mª del Carmen; Pradell i Cara, Lluís; Lázaro Guillén, Antoni
Lázaro Guillén, Antoni; Maya Sánchez, Mª del Carmen; Pradell i Cara, Lluís
Maya Sánchez, Mª del Carmen; Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís