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Annealing effects on the conduction mechanisms of p+-amorphous- Si0.8C0.2:H/n-crystalline-Si diodes
Marsal Garví, Lluís F.; Martín García, Isidro; Pallarés Marzal, Josep; Orpella García, Alberto; Alcubilla González, Ramón
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica
Silicon compounds
Hydrogenation.
Amorphous semiconductors.
Amorphous silicon-carbon
Amorphous semiconductors
Annealing effects
Carrier transport mechanism
Conduction mechanisms
Dark conductivity
Dark current-voltage characteristics
Electrical transport properties
Elemental semiconductors
Forward current
Multitunneling capture emission
p-n heterojunctions
Recombination currents
Semiconductor device measurement
Semiconductor diodes
Silicon compounds
Space-charge-limited conduction
Space charge limited current
Temperature effects
Wide band gap semiconductors
Silici
Hidrogen
Semiconductors amorfs
Artículo
American Institute of Physics
         

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Colina Brito, Mónica Alejandra; Martín García, Isidro; Voz Sánchez, Cristóbal; Morales Vilches, Ana Belén; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; López, Gema; García Molina, Francisco Miguel; Orpella García, Alberto; Muñoz Martín, D.; Sánchez Aniorte, M. Isabel; Molpeceres Alvarez, Carlos; Alcubilla González, Ramón
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