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Improvement of crystalline silicon surface passivation by hidrogen plasma treatment
Martín García, Isidro; Vetter, Michael; Orpella García, Alberto; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Alcubilla González, Ramón; Kharchenko, A.V.; Roca i Cabarrocas, Pere
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica
Microelectronics.
Silicon.
Crystalline silicon surface passivation
Dry low-temperature process
Effective lifetime
Elemental semiconductors
Etching
Hydrogen plasma treatment
Hydrogenated amorphous silicon carbide
p-type crystalline silicon surface
Passivation
Plasma materials processing
Quasisteady state photoconductance
Silicon compounds
Wide band gap semiconductors
Silici
Microelectrònica
Artículo
American Institute of Physics
         

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Alcubilla González, Ramón; García Molina, Francisco Miguel; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; López Rodríguez, Gema; Orpella García, Alberto; Martín García, Isidro; Colina, M.; Voz Sánchez, Cristóbal; Bermejo Broto, Sandra; Puigdollers i González, Joaquim
Orpella García, Alberto; Blanqué, Servane; Roiati, V.; Martín García, Isidro; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Alcubilla González, Ramón
Calle Martín, Eric; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; López Rodríguez, Gema; Martín García, Isidro; Carrió Díaz, David; Voz Sánchez, Cristóbal; Orpella García, Alberto; Puigdollers i González, Joaquim; Alcubilla González, Ramón
López Rodríguez, Gema; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; Voz Sánchez, Cristóbal; Martín García, Isidro; Colina Brito, Mónica Alejandra; Morales Vilches, Ana Belén; Orpella García, Alberto; Alcubilla González, Ramón