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n-type emitter surface passivation in c-Si solar cells by means of antireflective amorphous silicon carbide layers
Ferré Tomas, Rafel; Martín García, Isidro; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael; Vetter, Michael; Torres, I.; Alcubilla González, Ramón
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica
Silicon carbide.
Solar cells
Amorphous materials
Antireflective amorphous silicon carbide layers
Current density
Deposition
Optical losses
Surface passivation
Photoconductivity
Photocurrents
Photovoltaic conversion efficiency
Plasma enhanced chemical vapor deposition
Planar diffusion
Silicon carbide
Solar cells
Surface recombination velocity
Carbur de silici
Cèl·lules solars
Artículo
American Institute of Physics
         

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