Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/15781

Transient noise failures in SRAM cells: dynamic noise margin metric
Vatajelu, Elena Ioana; Gómez Pau, Álvaro; Renovell, Michel; Figueras Pàmies, Joan
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Tolerància a Fallades
Àrees temàtiques de la UPC::Informàtica::Hardware
Random access memory -- Reliability
SRAM chips
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
IEEE Computer Society Publications
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Vatajelu, Elena Ioana; Gómez Pau, Álvaro; Renovell, Michel; Figueras Pàmies, Joan
Vatajelu, Elena Ioana; Gómez Pau, Álvaro; Renovell, Michel; Figueras Pàmies, Joan
Vatajelu, Elena Ioana; Renovell, Michel; Figueras Pàmies, Joan
Di Carlo, Stefano; Indaco, Marco; Prinetto, Paolo; Vatajelu, Elena Ioana; Rodríguez Montañés, Rosa; Figueras Pàmies, Joan
Vatajelu, Elena Ioana; Panagopoulos, Georgios; Roy, Kaushik; Figueras Pàmies, Joan