To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/14433
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Arquitectura de Computadors |
---|---|
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica |
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions |
dc.contributor | Universitat Politècnica de Catalunya. ARCO - Microarquitectura i Compiladors |
dc.contributor.author | Aymerich Capdevila, Nivard |
dc.contributor.author | Ganapathy, Shrikanth |
dc.contributor.author | Rubio Sola, Jose Antonio |
dc.contributor.author | Canal Corretger, Ramon |
dc.contributor.author | González Colás, Antonio María |
dc.date | 2011 |
dc.identifier.citation | Aymerich, N. [et al.]. Impact of positive bias temperature instability (PBTI). A: ACM Great Lakes Symposium on VLSI. "Proceedings of the 2011 Great Lakes Symposium on VLSI". Lausanne: 2011, p. 227-282. |
dc.identifier.citation | 978-1-4503-0667-6 |
dc.identifier.citation | 10.1145/1973009.1973065 |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2117/14433 |
dc.language.iso | eng |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Informàtica::Hardware |
dc.subject | Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats |
dc.subject | Memory management (Computer science) |
dc.subject | Device degradation |
dc.subject | Memòria -- Gestió -- Informàtica |
dc.subject | Components electrònics -- Proves |
dc.title | Impact of positive bias temperature instability (PBTI) |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type | info:eu-repo/semantics/conferenceObject |
dc.description.abstract | |
dc.description.abstract |