Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2117/14292

A comparative variability analysis for CMOS and CNFET 6T SRAM cells
García Almudéver, Carmen; Rubio Sola, Jose Antonio
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. HIPICS - Grup de Circuits i Sistemes Integrats d'Altes Prestacions
Statistical device variability may be a limiting factor for further miniaturizing nodes in silicon bulk CMOS technology. On the other hand, in novel technologies such as Carbon Nanotubes Field Effect Transistors (CNFETs), the device variability is also present and is mainly due to imperfections inherent in current carbon nanotube (CNT) growth methods. The goal of this paper is to evaluate the impact of the main sources of variability in conventional MOSFET and CNFET 6T SRAM cells through the consideration of random threshold voltage process variations.
Peer Reviewed
Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats
CMOS
MOSFET
CNFET
SRAM chips
Carbon nanotubes
Nanotubs de carboni
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Rubio Sola, Jose Antonio; García Almudéver, Carmen; Martin, Javier; Crespo, A.; Rodriguez, Rosa; Nafría Maqueda, Montserrat
Amat Bertran, Esteve; García Almudéver, Carmen; Aymerich Capdevila, Nivard; Canal Corretger, Ramon; Rubio Sola, Jose Antonio
Martín Martínez, Javier; García Almudéver, Carmen; Crespo Yepes, Albert; Rodríguez Martínez, Rosana; Nafría Maqueda, Montserrat; Rubio Sola, Jose Antonio
García Almudéver, Carmen; Rubio Sola, Jose Antonio