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Surface roughness in InGaAs Channels of HEMT devices depending on the growth temperature: strain induced or due to alloy decomposition
Peiro, F.; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Beck, M.; Py, M. A.
Universitat de Barcelona
Microelectrònica
Superfícies (Física)
Microelectronics
Surfaces (Physics)
(c) American Institute of Physics, 1998
Artículo
American Institute of Physics
         

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