Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/24983

Influence of pressure and radio frequency power on deposition rate and structural properties of hydrogenated amorphous silicon thin films prepared by plasma deposition
Andújar Bella, José Luis; Bertrán Serra, Enric; Canillas i Biosca, Adolf; Roch i Cunill, Carles; Morenza Gil, José Luis
Universitat de Barcelona
07-05-2012
Radiofreqüència
Pressió
Pel·lícules fines
Semiconductors amorfs
Optoelectrònica
Cèl·lules fotovoltaiques
Radio frequency
Pressure
Thin films
Amorphous semiconductors
Optoelectronics
Fotovoltaic cells
(c) American Institute of Physics 1991
Artículo
American Institute of Physics
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Andújar Bella, José Luis; Bertran Serra, Enric; Canillas i Biosca, Adolf; Campmany i Guillot, Josep, 1966-; Serra-Miralles, J.; Roch i Cunill, Carles; Lloret, A.
Andújar Bella, José Luis; Bertran Serra, Enric; Canillas i Biosca, Adolf; Campmany i Guillot, Josep, 1966-; Morenza Gil, José Luis
Lloret, A.; Bertran Serra, Enric; Andújar Bella, José Luis; Canillas i Biosca, Adolf; Morenza Gil, José Luis
Bertrán Serra, Enric; Costa i Balanzat, Josep; Viera Mármol, Gregorio; Andújar Bella, José Luis; Canillas i Biosca, Adolf; Pascual Miralles, Esther
Campmany i Guillot, Josep, 1966-; Costa i Balanzat, Josep; Canillas i Biosca, Adolf; Andújar Bella, José Luis; Bertrán Serra, Enric