Tunable epitaxial growth of magnetoresistive La2/3Sr1/3MnO3 thin films

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/24789

dc.contributor	Universitat de Barcelona
dc.contributor.author	Fontcuberta i Griñó, Josep
dc.contributor.author	Bibes, Manuel
dc.contributor.author	Martínez Perea, Benjamin
dc.contributor.author	Trtik, V.
dc.contributor.author	Ferrater Martorell, Cèsar
dc.contributor.author	Sánchez Barrera, Florencio
dc.contributor.author	Varela Fernández, Manuel, 1956-
dc.date	2012-05-03T07:01:32Z
dc.date	2012-05-03T07:01:32Z
dc.date	1999-04-15
dc.identifier.citation	0021-8979
dc.identifier.citation	145903
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2445/24789
dc.format	3 p.
dc.format	application/pdf
dc.language.iso	eng
dc.publisher	American Institute of Physics
dc.relation	Reproducció del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1063/1.370486
dc.relation	Journal of Applied Physics, 1999, vol. 85, núm. 8, p. 4800-4802
dc.relation	http://dx.doi.org/10.1063/1.370486
dc.rights	(c) American Institute of Physics, 1999
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Pel·lícules fines
dc.subject	Anisotropia
dc.subject	Magnetisme
dc.subject	Làsers
dc.subject	Thin films
dc.subject	Anisotropy
dc.subject	Magnetism
dc.subject	Lasers
dc.title	Tunable epitaxial growth of magnetoresistive La2/3Sr1/3MnO3 thin films
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.description.abstract	We report on the growth of epitaxial La2/3Sr1/3MnO3 thin films on buffered Si(001) substrates. We show that a suitable choice of the buffer heterostructure allows one to obtain epitaxial (00h), (0hh), and (hhh) manganite thin films. The magnetotransport properties are investigated and we have found that the low-field magnetoresistance is directly related to the width of the normal-to-plane rocking curves, irrespective of the film orientation. The magnetic anisotropy of these films has also been determined.

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