Determination of the direct band-gap energy of InAlAs matched to InP by photoluminescence excitation spectroscopy

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/24784

dc.contributor	Universitat de Barcelona
dc.contributor.author	Roura Grabulosa, Pere
dc.contributor.author	López de Miguel, Manuel
dc.contributor.author	Cornet i Calveras, Albert
dc.contributor.author	Morante i Lleonart, Joan Ramon
dc.date	2012-05-03T06:33:05Z
dc.date	2012-05-03T06:33:05Z
dc.date	1997-05-15
dc.identifier.citation	0021-8979
dc.identifier.citation	115846
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/2445/24784
dc.format	5 p.
dc.format	application/pdf
dc.language.iso	eng
dc.publisher	American Institute of Physics
dc.relation	Reproducció del document publicat a: http://dx.doi.org/10.1063/1.365253
dc.relation	Journal of Applied Physics, 1997, vol. 81, num. 10, p. 6916-6920
dc.relation	http://dx.doi.org/10.1063/1.365253
dc.rights	(c) American Institute of Physics, 1997
dc.rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subject	Microscòpia electrònica
dc.subject	Pel·lícules fines
dc.subject	Electron microscopy
dc.subject	Thin films
dc.title	Determination of the direct band-gap energy of InAlAs matched to InP by photoluminescence excitation spectroscopy
dc.type	info:eu-repo/semantics/article
dc.type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.description.abstract	A series of InxAl12xAs samples (0.51,x,0.55) coherently grown on InP was studied in order to measure the band-gap energy of the lattice matched composition. As the substrate is opaque to the relevant photon energies, a method is developed to calculate the optical absorption coefficient from the photoluminescence excitation spectra. The effect of strain on the band-gap energy has been taken into account. For x50.532, at 14 K we have obtained Eg05154966 meV. © 1997 American Institute of Physics.

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