Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/24815

Electrically active point defects in n-type 4H¿SiC
Doyle, J. P.; Linnarsson, M. K.; Pellegrino, Paolo; Keskitalo, N.; Svensson, B. G.; Schoner, A.; Nordell, N.; Lindstrom, J. L.
Universitat de Barcelona
Estructura electrònica
Cristal·lografia
Electronic structure
Crystallography
(c) American Institute of Physics, 1998
Article
American Institute of Physics
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Hernández Márquez, Sergi; Pellegrino, Paolo; Martinez, A.; Lebour, Youcef; Garrido Fernández, Blas; Spano, Rita; Cazzanelli, M.; Daldosso, Nicola; Pavesi, Lorenzo; Jordana, E.; Fedeli, Jean-Marc
Martinez-Boubeta, Carlos; Martinez, A.; Hernández Márquez, Sergi; Pellegrino, Paolo; Antony, Aldrin; Bertomeu i Balagueró, Joan; Balcells i Argemí, Lluís; Konstantinović, Zorica; Martínez Perea, Benjamin
Ibáñez i Insa, Jordi; Oliva Vidal, Robert; Mare, M. de la; Schmidbauer, M.; Hernández Márquez, Sergi; Pellegrino, Paolo; Scurr, D. J.; Cuscó i Cornet, Ramon; Artús i Surroca, Lluís; Shafi, M.; Mari, R. H.; Henini, M.; Zhuang, Q.; Godenir, A.; Krier, A.
Martinez-Boubeta, Carlos; Martinez, A.; Hernández Márquez, Sergi; Pellegrino, Paolo; Antony, Aldrin; Bertomeu i Balagueró, Joan; Balcells i Argemí, Lluís; Konstantinović, Zorica; Martínez Perea, Benjamin
Hernández Márquez, Sergi; Miska, P.; Grün, M.; Estradé Albiol, Sònia; Peiró Martínez, Francisca; Garrido Fernández, Blas; Vergnat, M.; Pellegrino, Paolo