Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/2445/24722

Influence of mismatch on the defects in relaxed epitaxial InGaAs/GaAs(100) films grown by molecular beam epitaxy
Westwood, David I.; Woolf, D. A.; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Universitat de Barcelona
Cristal·lografia
Nanotecnologia
Crystallography
Nanotechnology
(c) American Institute of Physics, 1993
Article
American Institute of Physics
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Roura Grabulosa, Pere; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Bosch Estrada, José; López de Miguel, Manuel; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Westwood, David I.
Vilà i Arbonès, Anna Maria; Peiró, F.; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Cerdà Belmonte, Judith; Cirera Hernández, Albert; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Díaz Delgado, Raül; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Jimenez, Ismael; Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
Vilà i Arbonès, Anna Maria; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Ruterana, Pierre; Loubradou, Marc; Bonnet, Roland