Ion-beam synthesis of amorphous SiC films: Structural analysis and recrystallization

Inicio | ¿Qué es? | Contacto

English | Català

Consultar RECERCAT

Por comunidades y
colecciones Por fecha Por autores Por títulos Por temas (CDU)

Consultar departamento

Por fecha Por autores Por títulos Por temas (CDU)

Estadisticas

Del documento Todo RECERCAT

Mi RECERCAT

Entrar Alertas por correo-e

Directorio de otros repositorios

RECERCAT Principal > Universitat de Barcelona > Enginyeria Electrònica i Biomèdica > Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) > Visualizar documento

Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/24744

Título:	Ion-beam synthesis of amorphous SiC films: Structural analysis and recrystallization
Autor/a:	Serre, Christophe; Calvo Barrio, Lorenzo; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano Rodríguez, Alberto; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Pacaud, Y.; Kögler, Reinhard; Heera, Viton; Skorupa, Wolfgang
Otros autores:	Universitat de Barcelona
Abstract:	The analysis of SiC films obtained by carbon ion implantation into amorphous Si (preamorphized by Ge ion implantation) has been performed by infrared and Raman scattering spectroscopies, transmission electron microscopy, Rutherford backscattering, and x‐ray photoelectron spectroscopy (XPS). The data obtained show the formation of an amorphous Si1−xCx layer on top of the amorphous Si one by successive Ge and C implantations. The fitting of the XPS spectra indicates the presence of about 70% of Si–C bonds in addition to the Si–Si and C–C ones in the implanted region, with a composition in the range 0.35
Materia(s):	-Implantació d'ions -Silici -Ion implantation -Silicon
Derechos:	(c) American Institute of Physics, 1996
Tipo de documento:	Artículo Artículo - Versión publicada
Editor:	American Institute of Physics
Compartir:

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Spectroscopic characterization of phases formed by high-dose carbon ion implantation in silicon

Serre, Christophe; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano Rodríguez, Alberto; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Kögler, Reinhard; Skorupa, Wolfgang

Síntesis de capas de SiC en substrato de Si mediante implantación iónica

Pérez, A.; Romano Rodríguez, Alberto; Serre, Christophe; Calvo Barrio, Lorenzo; Cabezas, R.; Morante i Lleonart, Joan Ramon

Catalytic gates for gas sensors based on SiC technology

Casals Guillén, Olga; Haffar, M.; Barcones Campo, Beatriz; Romano Rodríguez, Alberto; Serre, Christophe; Pérez Rodríguez, Alejandro; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Godignon, Philippe; Montserrat, Josep; Millan, J.

Raman microprobe characterization of electrodeposited S-rich CuIn(S,Se)2 for photovoltaic applications: Microstructural analysis

Izquierdo Roca, Victor; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano Rodríguez, Alberto; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Álvarez García, Jacobo; Calvo Barrio, Lorenzo; Bermudez, V.; Grand, P. P.; Ramdani, O.; Parissi, L.; Kerrec, O.

Microstructure and secondary phases in coevaporated CuInS2 films: Dependence on growth temperature and chemical composition

Álvarez García, Jacobo; Pérez Rodríguez, Alejandro; Romano Rodríguez, Alberto; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Calvo Barrio, Lorenzo; Scheer, Roderich; Klenk, R.

Accesibilidad | Aviso legal | Política de Cookies | Documentos de uso interno

Coordinación

Patrocinio