Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2445/22078

Extension of the impedance field method to the noise analysis of a semiconductor junction: Analytical approach
Gomila Lluch, Gabriel; Bulashenko, Oleg; Rubí Capaceti, José Miguel; Kochelap, V. A.(Viacheslav Aleksandrovich)
Universitat de Barcelona
Semiconductors
Soroll electrònic
Díodes
Transistors
Camps elèctrics
Microelectrònica
Semiconductors
Electronic noise
Diodes
Transistors
Electric fields
Microelectronics
(c) American Institute of Physics, 1998
Artículo
American Institute of Physics
         

Mostrar el registro completo del ítem

Documentos relacionados

Otros documentos del mismo autor/a

Gomila Lluch, Gabriel; Bulashenko, Oleg; Rubí Capaceti, José Miguel; Kochelap, V. A.(Viacheslav Aleksandrovich)
Bulashenko, Oleg; Rubí Capaceti, José Miguel; Kochelap, V. A.(Viacheslav Aleksandrovich)
Bulashenko, Oleg; Rubí Capaceti, José Miguel; Kochelap, V. A.(Viacheslav Aleksandrovich)
Gomila Lluch, Gabriel; Bulashenko, Oleg; Rubí Capaceti, José Miguel
Gomila Lluch, Gabriel; Bulashenko, Oleg; Rubí Capaceti, José Miguel
 

Coordinación

 

Patrocinio