Projecte de recerca elaborat a partir d’una estada a la State University of New York a Stony Brook, EEUU, a l’agost i setembre del 2008. S’ha demostrat com està relacionada la diferència en el rendiment de lasejat de dos mostres altament dopades amb iterbi (20 at. %) de capes epitaxials de KY(WO4)2 (KYW) dopat amb Yb crescut sobre un substrat de KYW i de KLu(WO4)2 (KLuW) dopat amb Yb crescut sobre un substrat de KLuW, respectivament, amb la presència de estrès estructural en les capes epitaxials, investigat per Topografia de Feix Blanc de Raig X de Sincrotró. A partir dels resultats obtinguts, queda clar que les mostres que mostren una quantitat d'estrés estructural més gran, les epitaxies de KYW dopat amb Yb crescudes sobre substrats de KYW, duen a una eficiència més petita durant el lasejat, permetent establir una correlació directa entre l'existència i la magnitud d'aquest estrès estructural i la pèrdua del rendiment làser en aquestes capes epitaxial, que per altra banda, des del punt de vista espectroscòpic són equivalents.

Report for the scientific sojourn at the State University of New York at Stony Brook, USA, on august and september 2008.It has been demonstrated how the difference in laser performance of two highly doped (20 at %) epitaxial layers of Yb-doped KY(WO4)2 (KYW) grown on a KYW substrate and Yb-doped KLu(WO4)2 (KLuW) grown on a KLuW substrate, respectively, is related to the presence of structural stress in the epilayers, investigated by Synchrotron White Beam X-ray Topography. From the results obtained it is clear that the samples that show a larger amount of structural stress, Yb:KYW/KYW epitaxies, lead to lower efficiency in laser operation, giving a direct correlation between the existence and magnitude of such structural stress and the loss in efficiency of laser performance in such epitaxial layers which, from spectroscopical point of view, are otherwise equivalent.