Per accedir als documents amb el text complet, si us plau, seguiu el següent enllaç: http://hdl.handle.net/10256/3213

Oxidation of silicon: further tests for the interfacial silicon emission model
Farjas Silva, Jordi; Roura Grabulosa, Pere
15-02-2011
Semiconductors
Silici -- Oxidació
Silicon -- Oxidation
Tots els drets reservats
Article
American Institute of Physics
         

Mostra el registre complet del document

Documents relacionats

Altres documents del mateix autor/a

Roura Grabulosa, Pere; Farjas Silva, Jordi; Rath, Chandana; Serra-Miralles, J.; Bertrán Serra, Enric; Roca i Cabarrocas, P. (Pere)
Rath, Chandana; Farjas Silva, Jordi; Roura Grabulosa, Pere; Kail, F.; Roca i Cabarrocas, P. (Pere); Bertrán Serra, Enric
Farjas Silva, Jordi; Serra-Miralles, J.; Roura Grabulosa, Pere; Bertrán Serra, Enric; Roca i Cabarrocas, P. (Pere)
Farjas Silva, Jordi; Das, D.; Fort, J.; Roura Grabulosa, Pere; Bertrán Serra, Enric