To access the full text documents, please follow this link: http://hdl.handle.net/2117/107025

Title:	Medida de parámetros de ruido de transistores HEMT a partir de medidas de ruido con fuente adapatada
Author:	Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel; Pérez Pueyo, Rosanna; Soneira Ferrando, M. José
Other authors:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones; Universitat Politècnica de Catalunya. GCO - Grup de Comunicacions Òptiques
Abstract:	Peer Reviewed
Subject(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació -Telecommunication -Telecomunicació
Rights:	Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Spain http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/
Document type:	Article - Published version Conference Object
Share:

Show full item record