Impact of gate tunnelling leakage on CMOS circuits with full open defects

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/20118

Título:	Impact of gate tunnelling leakage on CMOS circuits with full open defects
Autor/a:	Rodríguez Montañés, Rosa; Arumi Delgado, Daniel; Figueras Pàmies, Joan; Eichenberger, S.; Hora, Camelia; Kruseman, B.
Otros autores:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. QINE - Disseny de Baix Consum, Test, Verificació i Circuits Integrats de Seguretat
Abstract:	Electronics Letter of the Month
Abstract:	Interconnecting lines with full open defects become floating lines. In nanometric CMOS technologies, gate tunnelling leakage currents impact the behaviour of these lines, which cannot be considered electrically isolated anymore. The voltage of the floating node is determined by its neighbours and leakage currents. After some time an equilibrium is reached between these effects. Theoretical analysis and experimental evidence of this behaviour are presented.
Abstract:	Peer Reviewed
Abstract:	Award-winning
Materia(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria electrònica::Microelectrònica::Circuits integrats -Metal oxide semiconductors, Complementary -CMOS integrated circuits -Circuits integrats -- CMOS -- Disseny i construcció
Derechos:
Tipo de documento:	Artículo - Versión publicada Artículo
Editor:	Institution of Electrical Engineers
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