Título:
|
N-type emitters passivation through antireflective phosphorus doped a-SiCxNy:H(n) stacks
|
Autor/a:
|
Orpella García, Alberto; Blanqué, Servane; Roiati, V.; Martín García, Isidro; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Alcubilla González, Ramón
|
Otros autores:
|
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament d'Enginyeria Electrònica; Universitat Politècnica de Catalunya. MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies |
Abstract:
|
This paper studies the passivation of industrially textured deep silicon emitters using amorphous silicon carbonitride layers in stack configuration, deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition. With this technique, emitter saturation current density can be decreased to values around 250 fA middot cm-2. As a consequence, open circuit voltages can be increased 25 mV achieving values around 640 mV. |
Materia(s):
|
-Àrees temàtiques de la UPC::Física::Física de l'estat sòlid::Semiconductors -Àrees temàtiques de la UPC::Energies::Energia solar tèrmica::Plaques solars -Solar cells -Silicon polymers -Energia solar -Silici |
Derechos:
|
|
Tipo de documento:
|
Artículo - Versión publicada Objeto de conferencia |
Editor:
|
IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers
|
Compartir:
|
|