Títol:
|
Extraction of an avalanche diode noise model for its application as on-wafer noise source
|
Autor/a:
|
Maya Sánchez, Mª del Carmen; Lázaro Guillén, Antoni; Pradell i Cara, Lluís
|
Altres autors:
|
Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones |
Abstract:
|
This paper presents a method to characterize the excess noise ratio (ENR) of an unmatched avalanche noise diode for application as an on-wafer noise source. It is based on the determination of a broadband device noise circuit-model from its measured reflection coefficient and noise powers. Measured ENR is used to calibrated a noise receiver up to 40 GHz. |
Abstract:
|
Peer Reviewed |
Matèries:
|
-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques -Electromagnetic noise -Microwaves -Diodes, Avalanche -on-wafer noise source -excess noise ratio -small-signal model -noise temperature measurement -noise parameters -avalanche diodes -electric noise measurement -electron device noise -semiconductor device models -avalanche diode noise model -unmatched avalanche noise diode -broadband device noise circuit-model -reflection coefficient -noise power -0 to 40 GHz -Soroll electromagnètic -Microones -Díodes |
Drets:
|
|
Tipus de document:
|
Article |
Publicat per:
|
JOHN WILEY & SONS INC
|
Compartir:
|
|