Third order intermodulation distorsion in film bulk acoustic resonators at resonance and antiresonance

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Para acceder a los documentos con el texto completo, por favor, siga el siguiente enlace: http://hdl.handle.net/2117/2618

Título:	Third order intermodulation distorsion in film bulk acoustic resonators at resonance and antiresonance
Autor/a:	Rocas Cantenys, Eduard; Collado Gómez, Juan Carlos; Mateu Mateu, Jordi; Campanella, Humberto; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel
Otros autores:	Universitat Politècnica de Catalunya. Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions; Universitat Politècnica de Catalunya. RF&MW - Grup de Recerca de sistemes, dispositius i materials de RF i microones
Abstract:	This paper presents recent measurements and modeling of the third order intermodulation products of a Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR), for a various values of frequency spacing between driving tones. The frequency dependence of voltage and current in the acoustic branch rules out a voltage-dependent nonlinearity. The results show different slopes at resonance and antiresonance, which are correctly adjusted by the model with a current dependent inductor and/or capacitor. The intermodulation distortion is found to be dependent on the frequency spacing between driving tones, indicating memory effects.
Abstract:	Peer Reviewed
Materia(s):	-Àrees temàtiques de la UPC::Enginyeria de la telecomunicació::Radiocomunicació i exploració electromagnètica::Circuits de microones, radiofreqüència i ones mil·limètriques -Resonators -Acoustic branch rules -Acoustic resonators -Antiresonance -Driving tones -Film bulk acoustic resonators -Frequency spacing -Inductor -Intermodulation distortion -Nonlinear characterization resonance -Thin film devices -FBAR -Ressonadors
Derechos:
Tipo de documento:	Objeto de conferencia
Editor:	IEEE
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